InAs-GaSb超晶格結構制備及性質研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、2～5μm波段內的激光由于具有較低的散射與吸收，因而在空間點對點通信、激光雷達、軍事目標指示方面擁有重要的應用前景。銻化物有源區(qū)的激光器是獲得該波段的一種最熱門的方式，但在制備上還存在晶格的失配、應力影響銻化物發(fā)展。因此本文研究了同質外延生長單層薄膜（GaSb襯底生長GaSb薄膜）和異質外延生長超晶格（GaSb襯底生長 InAs/GaSb超晶格）及其性能表征，在超晶格周期內部材料界面之間進行界面控制，提高超晶格性能。
　　采用實驗

2、結果與X’Pert Epitaxy軟件模擬材料外延生長的圖像相對比的方法，利用分子束外延技術將選取的GaSb襯底上控制生長參數(shù)生長GaSb薄膜。運用XRD測量實際生長薄膜，明顯看出峰形尖銳。與模擬外延生長圖像幾乎吻合，說明外延薄膜的晶格質量很好，從而確定了最佳的生長參數(shù)。
　　利用已確定的分子束外延技術的最佳生長參數(shù)生長了周期分別為10,20,50的InAs/GaSb超晶格，測得 X射線一級衍射峰半峰寬分別為303arcsec，1

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